[发明专利]发光二极管芯片及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202111136695.2 | 申请日: | 2021-09-27 |
公开(公告)号: | CN114023855A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 戴广超;王子川 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/54;H01L33/62 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 成亚婷 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明涉及一种发光二极管芯片及其制备方法、显示装置。发光二极管芯片包括至少一个发光二极管。发光二极管包括:第一半导体层、发光层、第二半导体层、环状支撑结构和第一焊盘。其中,第一半导体层、发光层和第二半导体层依次层叠设置。第二半导体层和发光层的叠层结构中设置有凹槽,所述凹槽暴露出部分第一半导体层。环状支撑结构设置于所述凹槽内。第一焊盘位于环状支撑结构的背离第一半导体层的一侧,并穿过环状支撑结构的环内区域与第一半导体层连接。上述发光二极管芯片及其制备方法可以提升发光二极管芯片的转移良率。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
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