[发明专利]一种高热导率高品质氮化硅陶瓷基板及其制备方法在审
| 申请号： | 202111137630.X | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113735595A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 张明;徐宝龙;崔凯权;刘海英;杭晨;李文辉 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨新辉特种陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/638;C04B35/64 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 李红媛 |
| 地址： | 150078 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种高热导率高品质氮化硅陶瓷基板及其制备方法，它涉及一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的氮化硅基板的热导率和力学性能差，且使用放电等离子烧结，其设备及制造成本高昂，难以实现批量化生产的问题。一种高热导率高品质氮化硅陶瓷基板由氮化硅粉或氮化硅粉和氮化铝、稀土氧化物、镁粉、增塑剂和有机溶剂制备而成。方法：一、称料；二、研磨、混合造粒；三、干压成型；四、气压烧结。本发明可获得一种高热导率高品质氮化硅陶瓷基板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高热 导率高 品质 氮化 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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