[发明专利]一种多晶体材料缺陷尺寸的超声测量方法

摘要

本发明公开了一种多晶体材料缺陷尺寸的超声测量方法，其包括以下步骤：S1、基于背散射响应模型，建立多晶体材料晶粒噪声的瑞利分布，以及晶粒噪声与缺陷回波之间的相干缺陷回波幅值的莱斯分布；S2、根据所述瑞利分布和莱斯分布，构建缺陷回波幅值的限界分布模型，并通过其逆累积分布计算置信上限和下限；S3、基于超声测量模型和C扫描实验测得的相干缺陷回波幅值，以步骤S2中得到的置信上限和下限，获取所述多晶体材料的缺陷尺寸的区间估计。本发明能够在低信噪比的环境下，对微小缺陷的尺寸进行有效的测量。