[发明专利]溅射沉积设备和方法在审
| 申请号： | 202111140928.6 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN114318261A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | S.M.卡利 | 申请（专利权）人： | 戴森技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/56;H01J37/32;H01J37/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张邦帅 |
| 地址： | 英国威*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于将溅射材料从溅射靶溅射到基底上的溅射沉积设备。该溅射沉积设备包括具有射频(RF)天线的等离子体天线组件，天线布置成由电流驱动，以便在等离子体产生区域中产生等离子体。等离子体天线组件配置为螺旋等离子体源，用于产生沿发射方向远离天线传播的螺旋波。天线在横向于发射方向的纵向方向上是细长的。包括一个或多个磁体的限制装置配置成将远离等离子体天线组件的等离子体限制成沿天线的纵向方向横向延伸的片。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 沉积 设备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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