[发明专利]一种基于混合式存储器的MCU及缓存数据的方法有效
| 申请号： | 202111143598.6 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN113849455B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李月婷 | 申请（专利权）人： | 致真存储（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F15/78 | 分类号： | G06F15/78;G06F11/14;G06F12/0811;G06F12/0871;G06F12/123 |
| 代理公司： | 北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙) 11878 | 代理人： | 唐忠仙;谷轶楠 |
| 地址： | 100191 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种基于混合式存储器的MCU及缓存数据的方法，涉及一种混合式存储器的MCU领域。本申请第一方面提出了一种混合式缓存MCU，所述混合式缓存MCU包括：处理器、系统总线和存储器，处理器通过系统总线与存储器相连接，其中，所述存储器包括STT‑MRAM以及SRAM，所述STT‑MRAM用作所述SRAM的备份。本申请第二方面提出了一种缓存方法，包括：处理器从SRAM中访问目标数据；当所述SRAM中未缓存所述目标数据，所述处理器从所述STT‑MRAM中访问所述目标数据。通过对MCU结构增加STT‑MRAM作为二级缓存，并结合所述缓存方法，实现对缓存空间的有效管理，提高了缓存架构的命中率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 混合式 存储器 mcu 缓存 数据 方法 | ||
【主权项】：
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