[发明专利]一种生长铋碲基合金外延薄膜的设备及方法在审

专利信息
申请号: 202111144596.9 申请日: 2021-09-28
公开(公告)号: CN113897667A 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 徐桂英;张斌;杨全鑫;南博航;周小靖;邓浩;史然;张光兵 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B15/20;C30B15/30;C30B29/52
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人: 张仲波
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种生长铋碲基合金外延薄膜的设备及方法,属于温差电领域。实验装置主要包含加热装置、密封装置和提拉旋转装置。加热装置能实现精确智能控制升温与降温;密封装置起到保护成膜环境密封性的作用;提拉旋转装置为样品台和衬底提供旋转和提拉的动力。成膜工艺参数主要包含衬底选择、根据相图选定母液成分并确定母液熔点和结晶点、寻找适当转速,冷却速度和提拉速度等。高性能的(Bi1‑xSbx)2(Te1‑ySey)3单晶薄膜可以组装器件用于制冷和发电。液相外延方法具备生长设备简单;有较高的生长速率;掺杂剂选择范围广;晶体完整性好,外延层位错密度较衬底低;晶体纯度高,生长系统中没有剧毒和强腐蚀性的原料及产物,操作安全、简便,可实现批量生产等优点。
搜索关键词: 一种 生长 铋碲基 合金 外延 薄膜 设备 方法
【主权项】:
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