[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202111147395.4 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN114078953A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 郑嵘健;江国诚;朱熙甯;陈冠霖;王志豪;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了半导体结构及其制造方法。示例性制造方法包括：提供工件，该工件包括衬底、衬底上方的隔离部件、穿过隔离部件突出的第一鳍形结构以及穿过隔离部件突出的第二鳍形结构；在第一鳍形结构和第二鳍形结构之间形成介电鳍；以及分别在第一鳍形结构和第二鳍形结构上方形成第一栅极结构和第二栅极结构。示例性制造方法也包括：从工件的背侧蚀刻隔离部件以形成暴露介电鳍的沟槽；从工件的背侧蚀刻介电鳍以形成延伸沟槽；以及在延伸沟槽上方沉积密封层。密封层覆盖第一栅极结构和第二栅极结构之间的气隙。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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