[发明专利]一种纳米多孔氮化铌薄膜光电探测器红外光响应设计方法在审
申请号: | 202111148323.1 | 申请日: | 2021-09-29 |
公开(公告)号: | CN113948603A | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 赵雨辰;郑家欢;刘江凡;宋忠国;席晓莉 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0232;H01L31/032;G06F30/25;G06N3/00;G01J5/20;G01J1/42 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 王丹 |
地址: | 710048 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种纳米多孔氮化铌薄膜光电探测器红外光响应设计方法,包括:使用Bruggeman等效模型将纳米多孔NbN薄膜等效为相同厚度的均匀薄膜,得到纳米多孔NbN薄膜的等效模型;基于纳米多孔NbN薄膜的等效模型,设置纳米多孔NbN薄膜探测器待优化的基本结构,计算加载纳米多孔NbN薄膜的该探测器红外波段的光响应特性;采用粒子群优化算法对加载纳米多孔NbN薄膜光电探测器进行结构设计,得到纳米多孔NbN薄膜的光电探测器。以纳米多孔NbN薄膜的等效模型为基础,可以直接使用经典一维光学薄膜结构的设计方法处理原本的三维探测器结构设计问题,不仅能够很大程度上提高设计效率,同时能够保证较高的计算精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 多孔 氮化 薄膜 光电 探测器 红外光 响应 设计 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的