[发明专利]一种金刚石基氮化镓异质结二极管器件的制备方法在审
| 申请号： | 202111149661.7 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113838817A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 周兵;王永胜;高洁;吴艳霞;黑鸿君;郑可;马永;于盛旺 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 申艳玲 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金刚石基氮化镓异质结二极管器件及其制备方法，首先在金刚石衬底表面自下而上依次外延生长重、轻掺杂的n型金刚石多层结构，并在多层结构上沉积过渡介质层；然后对过渡介质层进行光刻、显影、刻蚀等工艺处理，形成图形化的n型金刚石层台面；接着在露出的n型金刚石层表面依次外延生长本征氮化镓层或量子阱层结构、p型氮化镓层、介质保护层和钝化层；最后通过光刻、显影、刻蚀、薄膜沉积等工艺在p型氮化镓层和n型金刚石层上形成p型和n型金属电极，从而得到n型金刚石‑p型氮化镓结合的金刚石基氮化镓异质结二极管器件。所得金刚石基氮化镓异质结二极管器件具有高浓度和高迁移率二维电子气，适合高温、高频、高功率器件应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 氮化 镓异质结 二极管 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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