[发明专利]一种基于钙铟硫八面体纳米块或钙铟硫/ZnO异质结复合材料的光电探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111152229.3 申请日: 2021-09-29
公开(公告)号: CN113921286B 公开(公告)日: 2023-02-28
发明(设计)人: 高世勇;容萍;王金忠;刘祎;任帅;张勇 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20
代理公司: 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 代理人: 王新雨
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种基于钙铟硫八面体纳米块或钙铟硫/ZnO异质结复合材料的光电探测器及其制备方法,所述钙铟硫为三维八面体纳米块结构,在钙铟硫/ZnO异质结复合材料中,ZnO为二维纳米片结构,均匀紧密地分布在CaIn2S4八面体纳米块表面。以制备的CaIn2S4八面体纳米块和CaIn2S4/ZnO异质结复合材料为工作电极,通过热封膜将其与对电极连接,并在中间注入聚硫电解质或去离子水,分别组装为CaIn2S4纳米块和CaIn2S4/ZnO异质结光电探测器。所制备探测器可在室温下实现紫外到可见光的宽光谱探测,且能够在无外加偏压下工作。本发明合成了三维CaIn2S4八面体纳米块和具有独特结构的CaIn2S4/ZnO异质结复合材料,并基于其分别制备了高性能的光电探测器,拓展了CaIn2S4纳米材料在光电探测领域的应用。
搜索关键词: 一种 基于 钙铟硫八面体 纳米 钙铟硫 zno 异质结 复合材料 光电 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
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