[发明专利]氮掺杂P型单晶硅制造方法在审
| 申请号： | 202111153124.X | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113882016A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 徐鹏;兰洵 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 姚勇政;沈寒酉 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市市辖*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种氮掺杂P型单晶硅制造方法，包括：将高掺杂氮单晶与多晶硅投入坩埚并加热拉晶炉，得到第一硅熔体；向所述第一硅熔体加入高掺杂硼单晶，得到第二硅熔体；在所述第二硅熔体中以直拉法拉制氮掺杂P型单晶硅。根据本发明的氮掺杂P型单晶硅制造方法，使得氮和硼在较低的炉室温度下完全融入硅熔体，解决了炉室温度高，加热时间久的技术问题。同时，改变高掺杂硼单晶和高掺杂氮单晶的熔融顺序，以抑制氮化硼(BN)的形成导致拉晶失败的情况发生。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 单晶硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
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