[发明专利]激光退火设备在审
| 申请号： | 202111153643.6 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113838783A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭;李铭;何冬 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种激光退火设备，包括用于承载硅片的承载部；还包括激光发射部以发出激光；还包括反射激光探测部和透射激光探测部，以接收反射激光和透射激光并生成激光能量信息；还包括控制部，所述控制部通信连接所述透射激光探测部、所述反射激光探测部和所述激光发射部，所述控制部接收透射信息和反射信息，并根据所述透射信息和所述反射信息对所述激光发射部进行激光输出控制，实现同时分析入射激光、反射激光和透射激光的能量，获得加工对象对激光能量的吸收率，以判断激光退火的实际效果。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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