[发明专利]相变存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202111154527.6 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113871529A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 雅典波罗;鞠韶复;刘峻;杨红心;杨艳娟 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器及其制造方法，相变存储器包括相变存储单元，相变存储单元具有沿第一方向依次堆叠的第一导电层、选通层、第一电极层、相变材料层、第二电极层和第二导电层，其中，第一电极层和第二电极层均为氮化钛/碳双层电极结构。本发明的相变存储器中采用的TiN/C双层电极结构，TiN层和C层都有成熟的生长工艺，其生长工艺不会对相变材料层中的相变材料产生损伤，将两者结合起来可以兼顾电极材料导电，导热和防迁移的要求。另外，TiN层和C层之间的界面层有比较高的热阻和电阻值，通过引入高热阻和电阻的界面层，可以大幅降低对电极厚度的要求，从而一定程度降低沟槽深度，降低整体的工艺整合难度，提高工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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