[发明专利]用于制造氮掺杂的单晶硅的方法在审
| 申请号： | 202111155528.2 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113846378A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 徐鹏;文英熙;倚娜 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/04 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 李斌栋;沈寒酉 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市市辖*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种用于制造氮掺杂的单晶硅的方法，所述方法包括：利用氮化硅坩埚以及氮化硅掺杂剂通过直拉法拉制高掺氮单晶硅；利用石英坩埚以及以所述高掺氮单晶硅作为掺杂剂通过直拉法拉制低掺氮单晶硅。根据本发明的用于制造氮掺杂的单晶硅的方法，利用氮化硅坩埚制备高含氮量、低含氧量的高掺氮单晶硅，然后进一步利用该高掺氮单晶硅来制备低掺氮单晶硅，从而实现硅片的机械强度提升、单晶硅内部的BMD含量提高。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 掺杂 单晶硅 方法 | ||
【主权项】：
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