[发明专利]一种多线切割后的碳化硅晶片清洗方法在审
| 申请号： | 202111157025.9 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113857140A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 王升;陈辉;李有群;贺贤汉 | 申请（专利权）人： | 安徽微芯长江半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12;B08B3/04 |
| 代理公司： | 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 244000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多线切割后的碳化硅晶片清洗方法，将装有碳化硅晶片的承载花蓝依次经过清洗前预处理、QDR鼓泡及快排、市水超声清洗、药液超声清洗、市水超声漂洗和热风干燥等多个工艺步骤实现多线切割后的碳化硅晶片清洗。本发明解决了现有多线切割后碳化硅晶片手工逐片擦拭清洗的弊端，可一次实现多片碳化硅晶片的自动化清洗；此外，清洗药液制作简单，并且使用后的药液可经过处理后重复使用，降低清洗成本，经济效益和环保效益获得明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 切割 碳化硅 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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