[发明专利]一种基于半导体材料的辐射热流调控器件及其应用

摘要

本发明涉及一种基于半导体材料的辐射热流调控器件及其应用，其包含相对设置的第一辐射体和第二辐射体，所述第一辐射体设有半导体材料层，所述半导体材料层含有本征半导体材料和载流子掺杂浓度小于1016cm‑3的掺杂半导体材料中的一种或两种；第一辐射体的设置方式为悬空设置，或者所述第一辐射体包括含金属材料层的第一基底。本发明的技术方案主要利用半导体材料内部载流子浓度随温度的变化而导致的局域电磁态密度的变化来实现辐射热流的大幅度调控。本发明提供的辐射热流调控器件可以通过改变触发机制或是与其他部件进行组合的方式来实现热二极管、热三极管、热开关等功能。