[发明专利]存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111160766.2 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113870909A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 郑钟倍 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C5/06 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 孟霞 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种存储器件及其制备方法，该存储器件包括第一芯片和第二芯片，第一芯片包括第一存储阵列和第二存储阵列，第一存储阵列包括至少一个第一存储块，第一存储块包括多条沿第一方向延伸的第一字线和多条沿第二方向延伸的第一位线，第二存储阵列包括至少一个第二存储块，通过构造第一全局位线子译码器区块位于第一存储块所形成的第一俯视投影区域以及第二全局位线子译码器区块位于第二存储块所形成的第二俯视投影区域内，可以减小第一芯片与第二芯片堆叠后的占用面积，进而减小了存储器件的占用面积，有助于实现存储器件的最小化尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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