[发明专利]一种相变存储器单元在审
| 申请号： | 202111161468.5 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113921709A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 童浩;赵锐哲;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 尹丽媛;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术领域，具体公开了一种相变存储器单元，通过高电热绝缘的非晶介质材料与八面体构型的晶态介质材料叠层生长形成介质层，其中八面体构型的晶态介质材料与相变材料结构相同，在与相变材料接触的界面为相变材料提供晶核生长中心，诱导相变材料加速结晶，而与高电热绝缘的非晶介质材料叠层生长，则可避免晶态介质材料电阻过低而带来发漏电问题，从而在不失结晶速度的前提下起到更好的绝缘作用，进而更好地防止漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 单元 | ||
【主权项】：
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