[发明专利]具有在阱区中的钳位区和晶体管单元的碳化硅器件在审
| 申请号： | 202111165369.4 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114361238A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 拉尔夫·西明耶克;沃尔夫冈·扬切尔;大卫·卡默兰德尔;德塔德·彼得斯;约阿希姆·魏尔斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;李德山 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种碳化硅器件包括晶体管单元(TC)，该晶体管单元包括栅电极(155)和具有第一导电类型的源极区(110)。在碳化硅本体(100)中形成漏极/漂移区(130)。具有第二导电类型的埋置区(425)和漏极/漂移区(130)形成pn结。埋置区(425)和阱区(410)形成单极结。埋置区(425)的平均净掺杂剂密度N |
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| 搜索关键词： | 具有 中的 钳位区 晶体管 单元 碳化硅 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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