[发明专利]具有晶体管单元和钳位区的碳化硅器件在审
| 申请号： | 202111165703.6 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114335138A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 约阿希姆·魏尔斯;弗朗茨·希尔勒;沃尔夫冈·扬切尔;大卫·卡默兰德尔;拉尔夫·西明耶克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;杜诚 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种碳化硅器件(500)包括具有源极区(110)和栅电极(155)的晶体管单元(TC)。源极区(110)被形成在碳化硅本体(100)中并且具有第一导电类型。第一低电阻欧姆路径(901)电连接源极区(110)和具有第二导电类型的掺杂区(120)。掺杂区(120)和具有第一导电类型的浮动阱(410)形成pn结。具有第二导电类型的第一钳位区(411)延伸至浮动阱(410)中。第二低电阻欧姆路径(902)电连接第一钳位区(411)和栅电极(155)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶体管 单元 钳位区 碳化硅 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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