[发明专利]In-Si共掺杂量子阱的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111167141.9 | 申请日： | 2021-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN113838951A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王新强;康俊杰;罗巍;袁冶;刘上锋;王后锦;李永德;王维昀;李泰;万文婷 | 申请（专利权）人： | 中紫半导体科技（东莞）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 刘嘉伟 |
| 地址： | 523000 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种In‑Si共掺杂量子阱的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法，其包括按从下至上的顺序依次分布衬底、低温AlGaN缓冲层、高温AlN层、AlGaN/AlGaN超晶格应力缓冲层、n型AlGaN层、有源发光区AlGaN/AlGaN多量子阱、电子阻挡p型AlGaN层、电流扩展p型AlGaN层和p型GaN接触层。本发明在多量子阱区域引入In‑Si共掺杂原子，能够实现对多量子阱有源区的非辐射复合中心的湮灭，增强有源区的辐射复合发光，提升深紫外LED外延结构的内量子效率，同时In‑Si原子能钳制住高温下的位错迁移，提升器件长时间工作条件下的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | in si 掺杂 量子 algan 深紫 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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