[发明专利]使用耗尽型MOSFET的超低箝位电压浪涌保护模块在审
| 申请号： | 202111169902.4 | 申请日： | 2021-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN114389245A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 秦传芳;杜志德 | 申请（专利权）人： | 力特保险丝公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H02H9/02;H02H9/04;H02H9/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 谭营营;胡彬 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种使用耗尽型MOSFET(D MOSFET)的超低箝位电压浪涌保护模块(SPM)。SPM可以是电路或器件的一部分，并且包括初级保护级和次级保护级，其中D MOSFET连接在两个级之间。SPM可以包括单个D MOSFET、双D MOSFET或多个D MOSFET，并且初级和次级保护级可以利用许多不同的组件实施。相比于使用电感器的电路，使用(多个)D MOSFET的SPM具有改进的浪涌保护。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 耗尽 mosfet 箝位 电压 浪涌 保护 模块 | ||
【主权项】：
暂无信息
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