[发明专利]一种晶圆级芯片的加工工艺方法及晶圆结构在审
| 申请号： | 202111170203.1 | 申请日： | 2021-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN113921390A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 潘明东;张中;陈益新;徐海 | 申请（专利权）人： | 江苏芯德半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/56;H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 南京华恒专利代理事务所(普通合伙) 32335 | 代理人： | 裴素艳 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶圆级芯片的加工工艺方法及晶圆结构，在晶圆的正面嵌入芯片，相邻芯片之间设置有划片槽，在晶圆背面与单颗芯片对应的划片槽区域上形成凸出的图形结构，图形结构包括晶圆外围边缘的环形结构和与单颗芯片对应的支撑结构；将所得凸出图形结构进行电镀形成金属层，至此再将整个腐蚀减薄后的晶圆背面填充树脂进行晶圆级塑封，以便在金属层外部形成塑封层；研磨塑封后的晶圆，并研磨至指定的晶圆厚度；研磨至指定厚度后，采用划片工艺将晶圆切割成单颗的芯片，再进行后续的封装。本发明解决了现有超薄芯片减薄后的封装问题，在降低单颗芯片有效区域厚度的同时采用四边保护的方法，即达到有益效果又增强整体的封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 芯片 加工 工艺 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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