[发明专利]利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法在审
| 申请号： | 202111170674.2 | 申请日： | 2021-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN114300379A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 桑野嘉宏;野口广;森下隆博 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/324;H01L21/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张泽洲;司昆明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法，其能够抑制配置于为了晶圆设置区域的温度均匀化设置的保温块的附近的硅晶圆的金属污染。本发明的利用卧式热处理炉（100）的硅晶圆的热处理方法在圆筒形状的炉芯管（12）内配置晶舟（16），此时，(A)在晶舟（16）上配置晶圆组（WF），(B)在晶舟（16）上的炉芯管的中心轴（X）方向上的晶圆组（WF）的两侧，与晶圆组（WF）离开地配置保温块（第1保温块（18A）及第2保温块（18B）），(C)在晶舟（16）上的炉芯管的中心轴（X）方向上的第1保温块（18A）及第2保温块（18B）的两侧配置高清洁度的伪晶圆（20A、20B、20C、20D）。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 卧式 热处理 硅晶圆 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
