[发明专利]一种基于压电薄膜的声表面波与超导量子比特耦合器件有效
| 申请号： | 202111172715.1 | 申请日： | 2021-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN113839644B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 江文兵;林志荣;陈俊锋;彭炜;王镇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;G06N10/20 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 钱文斌 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于压电薄膜的声表面波与超导量子比特耦合器件，包括：制备于AlN压电薄膜上的透射型声表面波谐振腔，及制备于蓝宝石衬底上的超导Transmon量子比特、微波读出谐振腔、磁通偏置线及微波馈线电路，通过将透射型声表面波谐振腔与超导Transmon量子比特分别制备在AlN压电薄膜及蓝宝石衬底上，采用低损耗的蓝宝石衬底消除了压电材料对超导Transmon量子比特的弛豫，并通过第一耦合电容将透射型声表面波谐振腔与超导Transmon量子比特连接，实现两者之间的强耦合和高相干的效果，突破了体压电材料的高损耗限制，从而达到在实现声子与超导量子比特的强耦合的同时提高超导Transmon量子比特退相干时间，为最终实现微波与光量子转换的超导量子网络连接提供了可行性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 压电 薄膜 表面波 超导 量子 比特 耦合 器件 | ||
【主权项】：
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