[发明专利]一种MOSFET状态监测装置在审
| 申请号： | 202111174330.9 | 申请日： | 2021-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN113933674A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 邹有彪;王全;倪侠;徐玉豹;霍传猛;何孝鑫;黄元凯 | 申请（专利权）人： | 富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R19/25;H02M1/08;H02J13/00 |
| 代理公司： | 深圳众邦专利代理有限公司 44545 | 代理人： | 李茂松 |
| 地址： | 231283 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于MOSFET监测技术领域，尤其为一种MOSFET状态监测装置，包括MOS管、MOSFET驱动电路、可变电阻、限流电阻、LED、采样电阻、电容和MCU检测芯片，所述MOS管的漏极串联限流电阻和LED连接工作电压，所述MOSFET驱动电路通过可变电阻与MOS管的栅极连接，所述MOS管的源极串联采样电阻后接地。本发明利用电阻箱改变可变电阻的阻值，使可变电阻转化为高阻电阻，将MOS管栅极的电位升高，MOS管导通使LED发光以此测试MOS管状态，同时利用MCU检测芯片通过采集采样电阻的的电压的方式对流经采样电阻的电流进行检测集直观检测方式与电流检测两种MOSFET状态监测方式于一体，结合两种方式的检测结果，可靠性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 状态 监测 装置 | ||
【主权项】：
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