[发明专利]一种背栅调制器件及其制备方法、存储器、逻辑器件在审
| 申请号： | 202111176475.2 | 申请日： | 2021-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN113921612A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 张骥;叶甜春;罗军;赵杰 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/792;H01L29/788;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘贺秋 |
| 地址： | 510535 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种背栅调制器件及其制备方法、存储器、逻辑器件，其中背栅调制器件可包括但不限于硅衬底、ONO层、单晶硅层、栅极、第一侧墙、第二侧墙、第一源漏极及第二源漏极。ONO层填充于硅衬底上形成的空腔内，单晶硅层形成于ONO层上，栅极形成于单晶硅层上，第一侧墙环绕在栅极的侧壁周围，设置于单晶硅层上，第二侧墙环绕在第一侧墙的侧壁周围，设置于单晶硅层上；第一源漏极设置于硅衬底上，处于单晶硅层的一旁侧；第二源漏极设置于硅衬底上，处于单晶硅层的另一旁侧。本发明能够根据实际需要通过牺牲层和衬底的厚度灵活地控制单晶硅层和ONO结构的厚度，从而最大程度地发挥出背栅调制器件的性能，并能够有效降低器件成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调制 器件 及其 制备 方法 存储器 逻辑 | ||
【主权项】：
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