[发明专利]电荷补偿型屏蔽栅沟槽功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111178363.0 | 申请日： | 2021-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN114188395A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 张子敏;王宇澄;虞国新 | 申请（专利权）人： | 无锡先瞳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙) 44438 | 代理人： | 刁益帆 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请是关于一种电荷补偿型屏蔽栅沟槽功率器件及其制备方法。该功率器件包括：衬底区、漂移区、绝缘层、屏蔽栅、控制栅、基体区、源区、源极、漏极以及电荷补偿层；漏极、衬底区、漂移区、基体区及源极依次设置；绝缘层包括：第一绝缘层和第二绝缘层；第一绝缘层和第二绝缘层分设于电荷补偿型屏蔽栅沟槽功率器件的两侧，第二绝缘层与基体区的侧面相贴合，且第二绝缘层与漂移区的结合面上设有电荷补偿层；源区设置在基体区与源极的结合面上；电荷补偿层的掺杂类型与漂移区的掺杂类型相反。本申请提供的方案，能够在不增加功率器件版图设计的同时，实现有效调制电场、提高击穿电压的作用，还能起引导空穴电流和电子电流的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 补偿 屏蔽 沟槽 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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