[发明专利]富氧缺陷的钾嵌入钒酸铵纳米阵列正极材料的制备方法在审
| 申请号： | 202111178681.7 | 申请日： | 2021-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN114084905A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 宗泉;王疆瑛 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | C01G31/00 | 分类号： | C01G31/00;H01M4/485 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 周世骏 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米材料领域，旨在提供一种富氧缺陷的钾嵌入钒酸铵纳米阵列正极材料的制备方法。包括：以偏钒酸铵、二水合草酸、过硫酸钾制备均一溶液，将经过预处理后的碳布完全浸润在溶液中，进行水热反应；反应完毕取出碳布冲洗干净并干燥，得到正极材料，正极材料上负载的活性物质为富氧缺陷的钾嵌入钒酸铵纳米阵列。本发明可在碳布基底上直接生长出纳米阵列，制备的电极可以直接用于水系锌离子电池的正极；所得纳米材料具有大量的氧缺陷，可以提高材料的导电性、促进电荷转移以及加快锌离子的扩散，获得高比容量和优异的倍率性能。钾金属离子与钒氧层形成强有力的化学键缓解不可逆的脱铵现象，提升整体结构机械稳定性，获得优异的循环稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 嵌入 钒酸铵 纳米 阵列 正极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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