[发明专利]一种磁过滤阴极真空弧沉积导电碳膜的制备方法在审
| 申请号： | 202111180507.6 | 申请日： | 2021-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN113897582A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 李谊;应世强;李文 | 申请（专利权）人： | 南京亿浦先进材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/06 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 杜春秋 |
| 地址： | 211806 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种磁过滤阴极真空弧沉积导电碳膜的方法，包括以下步骤：首先将基片进行表面清洗预处理，然后在清洗后的基片上沉积过渡层，最后在过渡层表面沉积类石墨导电碳膜。通过本发明方法沉积的导电碳膜导电性高、结构致密，膜层与基片的结合力强。本发明提供的方法沉积面积大、效率高、绿色无污染，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 过滤 阴极 真空 沉积 导电 制备 方法 | ||
【主权项】：
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