[发明专利]一种提高CGA器件无模具植柱连接质量的方法在审
| 申请号： | 202111182390.5 | 申请日： | 2021-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN113921406A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 赵智力;张明强;孟希 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150080 黑龙江省哈尔滨市*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高CGA器件无模具植柱连接质量的方法，涉及微电子封装技术领域，为解决CGA器件铜柱无模具植柱受连接期间界面化合物被不断打磨、残余界面连接层过薄和不连续而引起的连接强度受限问题。本发明在焊柱表面制作含锡涂层后低温时效，在焊柱/含锡涂层界面形成化合物层；在阵列排布的焊盘上印刷焊锡膏，加热形成阵列球冠形钎料焊球；将含锡涂层焊柱装卡于高精度钻床的卡头中，旋转焊柱并使其端部缓慢下压钻入与之对中的球冠形钎料焊球内预定深度后停止进给和转动，冷却后打开并提起钻床卡头，完成单个含锡涂层焊柱的植柱；以相同参数逐个实现阵列排布焊盘上含锡涂层焊柱的植柱，并保证其露出端共面。本发明用于CGA器件的植柱。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 cga 器件 模具 连接 质量 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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