[发明专利]一种电离层模型事后分析方法及装置在审
| 申请号： | 202111182536.6 | 申请日： | 2021-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN114048585A | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 韩舒文;王勋;孙艺宁;高亚豪;王奕新;雷福军 | 申请（专利权）人： | 北京自动化控制设备研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F17/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100074 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电离层模型事后分析方法及装置，包括全球范围总电子含量分析模块、电离层延迟计算模块和电离层模型判别模块。所述电离层延迟计算模块通过电离层参数，基于BDGIM模型计算北斗三号电离层延迟改正值，并进一步获得接收机所处位置和时间下的垂向总电子含量值；所述电离层延迟计算模块还包括改进传统Klobuchar模型，结合载波相位观测量对模型中的参数进行最小二乘估计，计算北斗二号电离层延迟改正值。本发明提高了电离层延迟数据分析效率，可对北斗二号、三号电离层模型改正效果进行比较和检验，也可通过建立的模型改正效果检测机制判断接收机所处区域是否因电离层活跃而影响定位精度，为接收机定位分析提供可靠依据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电离层 模型 事后 分析 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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