[发明专利]一种micro LED器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111182861.2 | 申请日： | 2021-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN113921556A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 王仕伟;任清江;张金金;王赛文 | 申请（专利权）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/20;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/62 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 张巧婵 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种应用于显示技术领域的micro LED器件，本发明还涉及一种micro LED器件制造方法，所述的micro LED器件包括晶圆(8)，晶圆(8)包含CMOS驱动电路和通孔(9)，所述的晶圆(8)表面布置第一阳极层(10)，第一阳极层(10)上表面布置发光单元(11)，发光单元(11)为LED发光单元构成，且发光单元(11)由下到上依次为衬底(1)、N型半导体层(201)、MQW层(202)、P型半导体层(203)，所述的N型半导体层(201)、MQW层(202)、P型半导体层(203)设置为能够形成顶层窄、底层宽的结构，本发明所述的micro LED器件(micro LED微显示发光器件)及其制造方法，能够有效提高micro LED显示器件的外量子效率，同时满足高像素密度，提高像素，从而全面提升产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
