[发明专利]双层钝化薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202111184565.6 | 申请日： | 2021-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN113764979A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 谭满清;游道明;王栋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;国网河南省电力公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/024 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊晓 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本公开提供一种双层钝化薄膜材料，其特征在于，包括：半导体光电子器件基材，包括衬底和腔面；GaN薄膜，制备于所述腔面表面；TiO |
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| 搜索关键词： | 双层 钝化 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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