[发明专利]一种单晶类高镍低钴或无钴正极材料的制备方法有效
| 申请号： | 202111185153.4 | 申请日： | 2021-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN113629254B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 张宝;邓鹏;程诚;林可博;周亚楠;邓梦轩 | 申请（专利权）人： | 浙江帕瓦新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/62 | 分类号： | H01M4/62;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 李琼芳 |
| 地址： | 311800 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于锂离子电池材料技术领域，提供一种单晶类高镍低钴或无钴正极材料的制备方法。该方法包括多重温控烧结工艺和柔性玻璃态金属硼化物钝化层涂覆改性方法。多重温控烧结工艺利用短时间的高温调控晶体成核和长时间合适温度保证单晶晶体结构有虚度，减少高镍低钴或无钴单晶类在常规烧结法过程中结构塌陷及锂损失。柔性玻璃态金属硼化物钝化层涂覆改性既可以稳定表面氧又可以有效释放晶粒间的应变能，从而有利于保持长循环过程的机械完整性。本制备方法可将3.5‑4.5μm的球形高镍低钴或无钴前驱体烧制成颗粒较大且晶粒界限明显的类单晶形貌，且改性后具有优异的倍率性能和循环稳定性、高温高压稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶类高镍低钴 正极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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