[发明专利]一种基于硅载板的芯片模块高密度互连方法在审
| 申请号： | 202111188602.0 | 申请日： | 2021-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN113948508A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 徐艺轩;章飚;张楠;朱琳;曾永红;朱天成 | 申请（专利权）人： | 天津津航计算技术研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 周恒 |
| 地址： | 300308 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于芯片封装技术领域，具体涉及一种基于硅载板的芯片模块高密度互连方法；所述方法采用硅载板进行集成，整体集成方案包括：两个DSP芯片、一个FPGA芯片、两个SDRAM芯片、两个Flash芯片、一个配置芯片，共五种、八颗裸芯片；所述方法分析芯片需求，确定芯片模块集成方案基板工艺采用6层有机基板、塑封BGA 680pin的工艺方案，对芯片模块集成基板的设计方案进行规划，包括：电源地层的规划、信号层的规划、布线规划，并对芯片模块设计面积进行初步评估，确定芯片模块高密度互连设计方案，实现芯片模块高密度互连集成。本发明借助硅载板等先进三维堆叠的系统封装工艺，实现多个DSP、FPGA与内嵌多种存储器间的高速封装内网络互连的高密度集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硅载板 芯片 模块 高密度 互连 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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