[发明专利]一种应用真空闪蒸辅助狭缝涂布的钙钛矿薄膜制备方法在审
申请号: | 202111195048.9 | 申请日: | 2021-10-13 |
公开(公告)号: | CN113871538A | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 董弋;徐诚;易海芒;王知萌;黄志荣 | 申请(专利权)人: | 深圳黑晶光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 广东广盈专利商标事务所(普通合伙) 44339 | 代理人: | 李俊 |
地址: | 518101 广东省深圳市宝安区新安街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种应用真空闪蒸辅助狭缝涂布的钙钛矿薄膜制备方法,其中,所述方法包括:配制钙钛矿的前驱体溶液;基于所述前驱体溶液利用多段式注液工艺配合狭缝涂布制备钙钛矿的前驱体薄膜;基于真空闪蒸工艺辅助所述前驱体薄膜的成膜处理,获得所述钙钛矿的前驱体成膜;将所述钙钛矿的前驱体成膜在热台上进行退火处理,获得钙钛矿薄膜。在本发明实施例中,具有操作简单、可操作性与稳定性强等特点,适合连续制造大面积钙钛矿薄膜层,在钙钛矿太阳能电池的产业化应用具有巨大的潜在价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 应用 真空 闪蒸 辅助 狭缝 钙钛矿 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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