[发明专利]具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极型晶体管在审
| 申请号： | 202111198693.6 | 申请日： | 2021-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN114388497A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | V·贾因;A·K·斯坦珀;J·J·埃利斯-莫纳甘;S·M·尚克;R·克里希纳萨米 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/737;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;牛南辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极型晶体管(HBT)以及制造方法。该结构包括：富陷阱隔离区，其嵌入在体衬底内；以及异质结双极型晶体管，其位于富陷阱隔离区上方，其子集电极区通过体衬底的层与富陷阱隔离区分隔。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 陷阱 隔离 异质结双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
