[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111198977.5 | 申请日： | 2021-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN114284295A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 杨柏峰;杨世海;吕士濂;黄家恩;王奕;林佑明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1159 | 分类号： | H01L27/1159;H01L27/11597;H01L27/11587 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;徐川 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工业园区新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构，包括存储阵列、阶梯单元、导电桥接结构、字线驱动器以及导电布线。存储阵列设置在半导体结构的阵列区中并且包括字线。阶梯单元配置于被阵列区围绕的阶梯区中。阶梯单元包括从存储阵列的字线延伸的第一阶梯台阶和第二阶梯台阶。第一阶梯台阶和第二阶梯台阶彼此面对。导电桥接结构电连接第一阶梯台阶与第二阶梯台阶。字线驱动器设置于存储阵列与阶梯单元下方，其中字线驱动器的中央部分与阶梯单元的中央部分交叠。导电布线从第一阶梯台阶和第二阶梯台阶延伸到字线驱动器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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