[发明专利]一种TMO薄膜和TMO-TFT的超低温制备方法在审
| 申请号： | 202111199880.6 | 申请日： | 2021-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN114121661A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 栗旭阳;弥谦;梁海峰;蔡长龙;潘永强;徐均琪 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 巴晓艳 |
| 地址： | 710021 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供了一种TMO薄膜和TMO‑TFT的超低温制备方法。该超低温制备方法包括：S1：制备TMO前驱液；S2：基片的清洗及表面活化；S3：预沉积TMO湿膜的制备；S4：对S3中获得的预沉积TMO湿膜进行预退火，获得预退火TMO薄膜；S5：对S4中获得的预退火TMO薄膜进行N |
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| 搜索关键词： | 一种 tmo 薄膜 tft 超低温 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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