[发明专利]一种形状记忆合金中空微点阵材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202111200191.2 | 申请日： | 2021-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN113862519A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 王永静;吴雨豪;朱晓东;陈亚奇 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C22C19/03 | 分类号： | C22C19/03;C23C14/20;C23C14/35;C23C14/58;C21D1/26;C22F1/02;C22F1/10 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 秦丽 |
| 地址： | 710000 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形状记忆合金中空微点阵材料及其制备方法，配方包括：等原子比的NiTi合金，组分的重量百分比是：100％的NiTi合金；制备方法，包括步骤一，聚合物掩模加工；步骤二，NiTi合金膜层溅射成型；步骤三，中空微点阵材料获取；步骤四，具有记忆效应的NiTi合金中空微点阵材料获取；该发明所制备的中空微点阵材料的结构可设计性强；得到形状记忆合金膜中空微点阵材料的方法简便、易行，可通过控制溅射时间控制膜层厚度，可实现了管壁厚度在50nm～20μm之间的调控；本发明所制备的微点阵材料具有轻质、超弹性、突出的记忆效应、高阻尼、能量吸收和生物相容性；相对于其他沉积方法，通过磁控溅射技术的使用，材料选择广泛和膜层均匀性较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形状 记忆 合金 中空 点阵 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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