[发明专利]支化纳米线结构的气敏纳米材料、制备方法及其应用

摘要

本发明提供了一种支化纳米线结构的气敏纳米材料的制备方法，包括如下步骤：提供NH4F的溶液；将金属铌片置于溶液中进行纳米线生长，在铌片表面生长出Nb2O5纳米线；采用原子层沉积技术在生长有Nb2O5纳米线的铌片表面制备ZnO壳层薄膜；提供6.25～25mM的Zn(NO3)2和6.25～25mM的HMT的混合溶液；将表面包覆ZnO和Nb2O5纳米线的铌片放置于混合溶液中，在其表面支化生长出ZnO支化纳米线；将Nb2O5‑ZnO支化纳米线从铌片衬底上转移分散至去离子水中，获得Nb2O5‑ZnO支化纳米线悬浮液；再将得到的悬浮液滴石英片衬底上，干燥并冷却后得到Nb2O5‑ZnO支化纳米线结构的气敏纳米材料。