[发明专利]一种晶体硅纳米片薄膜光电极及其制备方法在审
| 申请号： | 202111210340.3 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN113941320A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 吴玉程;蔡蕊;王岩;余翠平;崔接武;张勇 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | B01J21/06 | 分类号： | B01J21/06;B01J37/34 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅纳米片薄膜光电极及其制备方法，其是由导电玻璃和沉积在导电玻璃表面的晶体硅纳米片薄膜组成，该薄膜是以晶体硅颗粒为原料、以乙醇为溶剂、以聚乙烯吡咯烷酮为添加剂，通过超声剥离和电泳沉积两步制成。本发明的操作流程简单、原材料和设备成本低廉，且所得晶体硅纳米片薄膜光电极与已有的硅基光电极相比，具有完全不同的形貌结构特征，在模拟太阳光照射下表现出较好的光电流响应性能，是一种全新的光电催化材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 纳米 薄膜 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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