[发明专利]一种缺陷型中空镍钴硒化物纳米立方体的制备方法在审
| 申请号： | 202111210880.1 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN115246630A | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 郭东轩;周瑜;柴东凤 | 申请（专利权）人： | 齐齐哈尔大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 161006 黑*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种缺陷型中空镍钴硒化物纳米立方体的制备方法。本发明的目的是要解决现有镍钴硒化物导电性较差和活性位点较少的问题，提供一种可提高镍钴硒化物超级电容器性能的制备方法。方法：以醋酸钴、醋酸镍、聚乙烯吡咯烷酮和二氧化硒为原料，采用刻蚀法和高温煅烧法，得到缺陷型中空镍钴硒化物纳米立方体，为提高现有镍钴硒化物基超级电容器电极材料性能提供一种高效制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 中空 镍钴硒化物 纳米 立方体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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