[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202111212038.1 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN113998664A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王续博;刘悦 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;B06B1/06;H04R19/00 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 200030 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括支撑层、位于所述支撑层一侧表面的停止层以及位于所述停止层表面的器件层；在所述支撑层另一侧表面上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层内形成有若干不同尺寸的背腔开口；沿各个所述背腔开口进行第一刻蚀，以刻蚀所述支撑层至各背腔开口对应位置处先后均暴露出所述停止层后停止，在所述支撑层内形成若干尺寸不同的背腔。上述方法降低了工艺复杂性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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