[发明专利]针对集成电路电流饱和失真的磁芯损耗确定方法及装置有效
| 申请号： | 202111212837.9 | 申请日： | 2021-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN113933600B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 王芬 | 申请（专利权）人： | 北京智芯仿真科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26 |
| 代理公司： | 北京星通盈泰知识产权代理有限公司 11952 | 代理人： | 李筱 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种针对集成电路电流饱和失真的磁芯损耗确定方法及装置，可包括：向用于集成电路电源系统的电感元件的磁芯中施加具有饱和失真波形的电流，其中电流呈周期性变化。在电流的作用下，采集磁芯的磁滞回线的多个特征点，其中磁滞回线表示作用于磁芯的磁场强度和磁芯产生的磁感应强度的变化关系。根据多个特征点，确定用于拟合磁滞回线的S曲线的参数，以获得磁滞回线的方程。根据磁滞回线的方程，并基于磁芯损耗的定义，对磁滞回线进行积分，以确定磁芯的平均功率损耗。本申请可避免现有技术中在直流偏置的情况下，难以准确获得磁芯损耗的问题，为确定电感元件的磁芯损耗提供了便捷且精确的方式。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 集成电路 电流 饱和 失真 损耗 确定 方法 装置 | ||
【主权项】：
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