[发明专利]半导体结构的检测方法及其检测装置在审
| 申请号： | 202111212950.7 | 申请日： | 2021-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN114018760A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 石泉;吴宗芹;李国梁;张笑;马向杰;魏强民 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N9/24 | 分类号： | G01N9/24;G01N23/02 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构的检测方法及其检测装置。该检测方法包括获取电子能量损失谱，电子能量损失谱对应于半导体结构表面的选定区域；根据电子能量损失谱获得总谱的强度和氮、氧中至少一个的元素信息以及硅的元素信息；根据选定区域的面积、总谱的强度以及各元素信息获得选定区域对应的该元素的面密度。该检测方法通过电子能量损失谱对半导体结构中由硅、氮、氧构成的物质的材料密度进行检测，从而获得了纳米尺度内的密度信息，为后续的工艺优化提供坚实的数据支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 检测 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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