[发明专利]一种实施气相沉积法工艺的高速清洁的CVD腔室结构

摘要

本发明属于半导体领域，一种实施气相沉积法工艺的高速清洁的CVD腔室结构，具有下电极、支撑装置，支撑装置位于下电极的上方，支撑装置具有支撑条，支撑条呈方形分布，其特征在于：支撑条的数量为四，所有支撑条均不与其他支撑条接触；支撑条的外侧到CVD腔室的内壁的距离小于支撑条的内侧到CVD腔室的内壁的距离；相邻的两个支撑条相近的端之间构成气流通道。本发明设巧妙、成本低廉、提高了生产效率、提供了新的技术思路。