[发明专利]全桥磁电阻传感器及其制造方法以及双钉扎磁电阻多层膜在审
| 申请号： | 202111215615.2 | 申请日： | 2021-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN114002628A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李大来;黄正伟;王鑫 | 申请（专利权）人： | 新纳传感系统有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/00 |
| 代理公司： | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种全桥磁电阻传感器及其制造方法以及双钉扎磁电阻多层膜，其中，全桥磁电阻传感器包括第一双钉扎磁电阻多层膜至第四双钉扎磁电阻多层膜，第一双钉扎磁电阻多层膜的一端和第二双钉扎磁电阻多层膜的一端与电源端相连；第一双钉扎磁电阻多层膜的另一端和第三双钉扎磁电阻多层膜的一端与第一信号端相连；第二双钉扎磁电阻多层膜的另一端和第四双钉扎磁电阻多层膜的一端与第二信号端相连；第三双钉扎磁电阻多层膜的另一端和第四双钉扎磁电阻多层膜的另一端与接地端相连。其中，全桥磁电阻传感器依次经过第一次退火和第二次退火。与现有技术相比，本发明不仅可以实现单芯片全桥功能，而且零点小，退火工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 传感器 及其 制造 方法 以及 双钉扎 多层 | ||
【主权项】：
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