[发明专利]六方氮化硼表面扭转双层石墨烯及其制备方法有效
| 申请号： | 202111215650.4 | 申请日： | 2021-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN113979429B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王浩敏;姜程鑫;王慧山;肖相生;王伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;江苏云涌电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种六方氮化硼表面扭转双层石墨烯及其制备方法，通过先对六方氮化硼衬底退火处理进行清洁，然后在六方氮化硼衬底表面涂覆辅助材料同时对该辅助材料进行加热及减量处理，使保留在六方氮化硼衬底上的辅助材料含量保持在合适的厚度范围内，通过选择合适的辅助材料种类以及合适的保留厚度，以辅助后续石墨烯的形核成长，然后再结合特定的催化气体材料实现在六方氮化硼衬底表面直接制备形成具有多转角的双层石墨烯。解决了六方氮化硼衬底表面石墨烯形核困难以及难以直接制备多转角的双层石墨烯的问题，为基于石墨烯的转角电子学研究提供基础。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 表面 扭转 双层 石墨 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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